Самсунг готовится к серийному выпуску чипов памяти объемом 256 Гб

Разработка, в свою очередь, стала доступной благодаря платформе V-NAND, представляющей собой трехмерную память с высокой скоростью чтения, в связи с чем чип в состоянии выполнять до 45 тыс. операций за секунду.

Сегодня компания Самсунг сказала о начале массового производства чипов памяти стандарта UFS 2.0 объёмом 256 ГБ (Universal Flash Storage). Очевидно, одним из первых таковых устройств будет Самсунг. Это не менее, чем вдвое превосходит показатели UFS первого поколения (19 тыс. и 14 тыс. IOPS соответственно). Разумеется, при таковых характеристиках они ориентированы только на флагманские мобильные гаджеты, которые будут анонсированы только во 2-ой половине текущего года, а то и вовсе с начала 2017 г. Для телефонов с поддержкой интерфейса USB 3.0 будет возможность передавать файлы размером 5 Гб приблизительно за 12 с. Для фильмов формата 4K это займёт чуть дольше, однако скорее актуальных на сегодняшний день решений. Новинка придаст будущим мобильным устройствам рекордную работоспособность — выше, чем у среднего SSD-накопителя c интерфейсом SATA в ноутбуках и компьютерах.

Samsung выпускает первый встраиваемый накопитель объемом 256 ГБ, соответствующий спецификации UFS 2.0

Поделитесь статьей с друзьями в социальных сетях:

Желаете на почту получать последние статьи? Введите Ваш e-mail:
WordPress
Поделитесь своим мнением
Для оформления сообщений Вы можете использовать следующие тэги:
<a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>

Вконтакте
FaceBook
Мы в соцсетях:
Обновления на почту:
Желаете получать последние статьи? Введите Ваш e-mail:

Рубрики

Статистика:

© 2017 Развиваясь — Богатей!  Войти